锑化铟（InSb）抛光片

        可供2、3、4英寸N型和P型锑化铟（InSb）抛光片。锑化铟单晶片抛光技术是采用化学机械抛光工艺，并结合自主配制抛光液，去除晶圆由以前工序所残留的缺陷及表面损伤，获得原子级台阶镜面的表面，满足外延要求。锑化铟材料抛光后的物理参数请见下表：

1. 锑化铟抛光片参数

2. 锑化铟单晶片抛光技术原理

        锑化铟晶体抛光原理是将旋转的被抛光晶片压在其同方向旋转的弹性抛光垫上，而抛光浆料在晶片于基板之间连续流动。上盘和下盘高速旋转，被抛光晶片表面与抛光液发生化学反应，产物被不断地剥离，新抛光浆料补充进来，反应产物随抛光浆料带走。新裸露地晶片平面又发生化学反应，产物再剥离下来而循环往复，在晶圆基片、磨料和化学反应的联合作用下，形成超精密表面。

3. 锑化铟晶片抛光的意义

        基于InSb材料的红外探测器正在被开发为单元、一维阵列和二维焦平面阵列。随着探测器像素数量的增加，探测器的声速、噪声、响应时间等品质不仅取决于InSb晶片的载流子浓度、迁移率、寿命等参数，还取决于其的表面状态。其中，表面粗糙度的增加会增加器件的噪声。此外，表面悬空键的密度会增加，这将增强表面吸引力，更容易吸附金属离子，导致InSb芯片的电学性能下降，漏电流将大大增加。由此可见，表面粗糙度将影响器件的性能，并给器件带来一定程度的机械损伤。所以对锑化铟晶片进行抛光是非常必要的。

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