碳化硅单晶片SiC

  • 碳化硅单晶片SiC

    硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料,但与碳化硅(SiC)晶片相比,则显得效率低下。碳化硅晶片现在已开始被多种应用采纳,特别是电动汽车,以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战. 碳化硅晶片由纯硅和碳组成,与硅相比具有三大优势:更高的临界雪崩击穿场强、更大的导热系数和更宽的禁带。碳化硅晶片具有3电子伏特(eV)的宽禁带,可以承受比硅大8倍的电压梯度而不会发生雪崩击穿。禁带越宽,在高温下的漏电流就越小,效率也越高。而导热系数越大,电流密度就越高。SiC衬底具有更高的电场强度,因而可以使用更薄的基础结构,其厚度可能仅为硅外延层的十分之一。此外,SiC的掺杂浓度比硅高2倍,因此器件的表面电阻降低了,传导损耗也显著减少。厦门中芯晶研可提供2”,3”,4”,6”碳化硅单晶片。

  • 碳化硅外延SiC Epi

    SiC外延片生长的主要外延技术是化学气相沉积(CVD),它通过SiC外延反应器阶梯流的生长实现一定厚度和掺杂的碳化硅外延材料。随着碳化硅功率器件制造要求和耐压水平的提高,SiC外延片不断向低缺陷、厚外延方向发展。我司在4H 衬底上提供定制薄膜SiC外延,用于开发碳化硅器件。