Si基GaN激光二极管外延片
III族氮化物是一种直接带隙材料，具有宽禁带、高击穿电场、热导率等优点，在高效发光器件和电力电子器件方面具有广阔的应用前景。其中，三元化合物InGaN的带隙宽度可以通过改变In的成分在1.95eV~3.40eV范围内连续调节，适合用作发光二极管和激光器的有源区。厦门中芯晶研可提供InGaN/GaN量子阱外延片用于制造405nm激光二极管，具体结构如下：
1. GaN激光二极管外延片结构
| 外延层材料 | 厚度 |
| 接触层 | 10nm |
| pGaN | – |
| AlGaN | – |
| InGaN | – |
| InGaN-QW/GaN-QB | – |
| InGaN | – |
| AlGaN | – |
| nGaN | – |
| Si衬底 | – |
如能够在硅衬底上直接外延GaN半导体激光器不仅可以凭借大尺寸、低成本的硅片及其自动化生产线，极大地降低GaN基光电子器件的制造成本，而且有望为激光器等光电器件与硅基光电电子器件的集成提供一条新的途径。
GaN材料体系（GaN、InGaN和AlGaN）将半导体激光器波长扩展到可见光和紫外波段
2. GaN激光器的应用
405nm GaN激光器广泛应用于高密度光存储、激光直写光刻和光固化行业。基于GaN材料的激光波长从可见光谱延伸到了紫外光谱范围，推动了大色域激光显示、高亮度激光照明和金属加工等技术的革新。
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