射频、微电子、光电子用化合物半导体外延片量产

        我们依托中国科学院半导体和国内外知名专家的强大技术力量，在安徽投资建设化合物半导体晶圆代工厂，注册资金达1亿元，在国内率先开展了 6-8 寸化合物半导体分子束外延、金属有机物化学气相沉积外延晶圆以及芯片的产业化工作，过硬的技术团队，自主研发和生产，可根据市场和客户的需要，提供定制化规格的外延及芯片。

1. 涉及的化合物半导体外延片包括：

1.1 微电子产品

1）赝配高电子迁移率晶体管结构晶圆（PHEMT）

        PHEMT 是对高电子迁移率晶体管（HEMT）的一种改进结构，PHEMT具有双异质结的结构，这不仅提高了器件阈值电压的温度稳定性，而且也改善了器件的输出伏安特性，使得器件具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等，是目前最主流的射频、通讯元器件。

2）高电子迁移率晶体管晶圆（HEMT）

        基于 GaAs 的集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，它是利用具有很高迁移率的二维电子气来工作的，是射频、微波的通讯元器件。

3）砷化镓衬底上的大失配 HEMT 晶圆（MHEMT） 

        GaAs 基 InAlAs/InGaAs 大失配 MHEMT，同时结合了 InP 基 HEMT高频、高功率增益和低噪声系数的优点以及 GaAs 基 HEMT 衬底制备工艺成熟的优势，在毫米波频段展现出良好的应用潜力。

1.2 光电子产品

1）垂直共振腔面发射型激光器晶圆 (VCSEL)

        具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。

2）量子阱红外探测器晶圆(QWIP)

        以其制备工艺成熟，易于大面阵集成，稳定性好，器件均匀性好，可操作像元数高，产量高，成本低，探测器光谱响应带宽窄，不同波段之间光学串音小，相对容易实现双色或多色焦平面器件，抗辐射等优点，成为近年来红外探测器领域应用的热点。

3）边射型激光器晶圆 (EE- Lasers)

        一种边发射的发光激光器，它的发光区被限制在一边的很小部分，有限的光发射区能改善与光纤和集成光路的耦合效率。

4）光电探测器晶圆 （PIN）

        在 P 区与 N 区之间生成 I 型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。

5）量子点激光器晶圆（Quantum Dot Laser）

        对注入载流子具有三维量子限制结构的半导体激光器。 

2. 化合物半导体晶圆的规格与技术：

衬 底 类 型： 砷 化 镓 （GaAs Substrates）、磷 化 铟 （InP Substrates）、锑化镓（GaSb Substrates）、锑化铟（InSb Substrates）、砷化铟（InAs Substrates）

晶片尺寸：2、3、4、6 英寸

外延化合物：GaAs、AlGaAs、AlInAs、InGaAs、InAs、InP、InGaP

化合物半导体杂质类型：Si、Te （N 型掺杂剂）

                                       Be、C、Zn(P 型掺杂剂)

3. 化合物半导体应用领域：

        微电子产品：主要涉及 4G/5G 手机和基站的射频模块的高频收发套件，是包括 PA 功率放大器，射频开关的高频高速传输等关键功能的实现基础。是高速通信设备芯片的功能实现的不可或缺的根本载体。

        光电子产品：在光通信领域，围绕大型的数据中心的光纤通信应用光源。在消费类电子产品的应用中 3D 结构光的探测识别。在大功率激光焊接设备的光源部分的关键部件提供。

        红外产品：近年来锑化物材料在第三代红外探测器焦平面阵列、中远红外量子级联激光器、量子点激光器、超高速低功耗低噪声放大器、热光伏电池组件等方面都取得了巨大进展。

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