砷化镓（GaAs）外延晶片——高压二极管材料

        可定制生长用于高压二极管的砷化镓（GaAs）外延晶片，具体参考下表晶片外延结构。砷化镓化合物半导体外延晶片为极其紧凑的系统提供了所需的功率密度、效率和可靠性，满足现代工业应用、可再生能源发电或全电动或混合动力汽车中电力电子的要求。特别是在600V~1700V的中高压范围内，GaAs晶片外延技术提高了能源效率，同时也降低了对应系统的重量、尺寸和总成本。

1. 砷化镓外延晶片规格

注：

晶片外延层的厚度公差： +/-10%

晶片外延层的掺杂浓度公差：+/-30%

液相外延（LPE）外延工艺可以高效生长二极管结构，并获得高质量的GaAs外延层。

2. P型砷化镓外延层生长

        具有高掺杂浓度的p型GaAs外延晶片应用于双极晶体管等器件中。为了获得p型掺杂GaAs半导体晶片外延材料，我们通常采用铍（Be）作为掺杂源。Be用作掺杂源可以生长掺杂浓度可控的高掺GaAs外延片，以满足器件的要求。同时，Be也是AlGaAs、InGaAs材料系统器件中典型的p型掺杂源。Be掺杂在低电阻异质结双极晶体管、p型非合金欧姆接触等器件应用中具有良好的优势。

3. 砷化镓晶片外延表面质量的改善

        GaAs表面有大量的悬空键，暴露在空气中很容易形成镓（Ga）和砷（As）氧化物。这些氧化物将形成非辐射复合中心，并降低GaAs材料的发光特性。因此，降低GaAs外延晶片的表面非辐射复合中心和表面态密度对提高GaAs基器件的发光性能具有重要意义。硫（S）钝化是改善砷化镓外延片发光性能的有效处理方法。GaAs外延经过硫钝化处理后，去除了表面的氧化物层，同时表面的Ga和As与S结合形成硫化物，降低了表面态密度，改善了GaAs晶片外延生长表面的辐射复合，提高了GaAs外延器件的光致发光性能。

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