P型4H-SiC衬底基外延片

        4H-SiC晶体的电子迁移率（室温下约950cm²/(V·s)）较空穴迁移率（约120cm²/(V·s)）具有显著优势。这一载流子传输特性差异使得N沟道绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件在开关速度方面普遍优于P沟道结构。当前，基于液相法的p型掺杂工艺取得了突破，成功制备低位错密度的p型SiC衬底。这类高质量p型4H-SiC衬底在n沟道晶体管的应用中具有吸引力。我司可供p型4H-SiC衬底基外延服务，技术参数如下：

1. p型4H-SiC衬底外延产品技术参数

        基于p型4H-SiC衬底生长的外延片在n沟道IGBT、各类高压/超高压二极管、SiC基光电探测器等器件中具有广泛的应用前景。

2. p型SiC同质外延的意义

        在阻断电压超过10 kV的碳化硅（SiC）功率开关器件中，双极型器件（如IGBT和BJT）因电导率调制效应可实现极低导通电阻（如n-IGBT的导通电阻显著优于p-IGBT），成为高压、大功率场景的理想选择。然而，n-IGBT的性能优化高度依赖于低电阻率的p型衬底，以降低器件整体压降和损耗。p型SiC衬底的成功研制为SiC基双极器件的高压化与高密度集成提供了关键材料基础。使用低电阻率p型SiC可直接作为衬底，避免了外延层与衬底间的界面缺陷和载流子散射，提升器件可靠性；结合p型同质外延技术，可实现垂直型n-IGBT的优化设计，推动15 kV以上超高压器件的实用化；此外，低电阻率p型材料可增强双极器件的电导调制效应，降低导通损耗，助力新能源电网、轨道交通等高功率系统能效升级。  

        如需获取p型4H-SiC衬底基外延片的报价，请发送邮件至：vp@honestgroup.cn