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产品描述
1. 锑化铟单晶片InSb
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锑化铟InSb单晶参数 |
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| 单晶 | InSb | ||
| 外形尺寸 | 2″(50.8±0.3mm), 3″(76.2±0.3mm) | ||
| 厚度 | 500/600±25um | ||
| 掺杂 | None | Te | Ge |
| 导电类型 | N | N | P |
| 载流子浓度（cm-3） | <3E15 | E17~E18 | 1~4×1016 |
| 位错密度（cm-2） | <2×102 | ||
2. 锑化铟材料特性
2.1 物理性质
InSb 外观为深灰色银色金属颗粒或具有玻璃光泽的粉末。当加热超过 500°C 时，它会熔化并分解，释放出锑和氧化锑烟雾。晶体结构为闪锌矿，晶格常数为 0.648 nm。
分子量：236.58
外观：深灰色金属晶体
熔点：527°C
密度：5.78 g/cm3
水中溶解度：不溶
2.2 电子特性
InSb 属于窄带隙半导体，能带隙在 300 K 时为 0.17 eV，在 80 K 时为 0.23 eV。除碳纳米管外，未掺杂的 InSb 拥有高于已知半导体材料的室温电子迁移率（78000 cm2/Vs），电子漂移速度和弹道长度（在 300 K 时可达 0.7 m）。
当暴露于红外辐射时，锑化铟光电二极管探测器会产生电流。InSb 的内部量子效率实际上是 100%，但是它随厚度而变化，尤其是对于近带边光子。与任何窄带隙材料一样，InSb 探测器需要定期重新校准，这增加了成像系统的复杂性。在需要高灵敏度的地方，例如在远程军用热成像系统中，增加复杂性是值得的。InSb 探测器必须在低温下运行，也需要冷却（通常为 80 K）。
3. InSb材料应用
InSb红外焦平面阵列 红外成像机系统
基于InSb材料的红外成像图像