锑化镓单晶片GaSb

锑化镓单晶片GaSb

锑化镓单晶片GaSb

锑化镓（GaSb）是III-V族的镓和锑的半导体化合物。它具有约0.61nm的晶格常数。 得益于其电气、光学、热学等方面的特性，GaSb可用于红外探测器，红外LED和激光器和晶体管，以及热光电系统，在高量子效率及高频器件中拥有巨大的应用潜力。此外，锑化镓可用于具有定制光学和传输特性的超晶格，串联太阳能电池布置中的升压电池，用于提高光伏电池和高效热光伏 (TPV) 电池的效率。厦门中芯晶研可提供2”,3”,4”锑化镓单晶片。

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产品描述

在 III-V 半导体中具有较小的带隙，GaSb能带隙在室温下为 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下为 0.81 eV (1.53 μm)，适用于工作在红外区域的光电器件和波长范围为 1-5 μm 的电子器件。我们可提供锑化镓晶片如下：

1. 锑化镓单晶片GaSb

锑化镓GaSb单晶

2. 锑化镓材料特性

2.1 GaSb 化学性质

化学式 GaSb
分子量 191.483 g/mol
带隙 0.726 eV
带隙类型 间接
晶体结构 锌混合物
对称组 Td2-F43m
晶格常数 6.09593 埃

 

2.2 GaSb 电气性能

内在载体浓度 1.5×1012cm-3
电子迁移率 ≤ 3000 cm2 V-1s-1
孔移动性 ≤ 1000 cm2 V-1 s-1
电子扩散系数 ≤  75 cm2 s-1
空穴扩散系数 ≤  25 cm2 s-1

 

2.3 GaSb 热学、机械和光学性能

机械性能
熔点 712 °C
密度 5.614 g cm-3
体积模量 5.63•1011 dyn cm-2

热学性能
导热系数 0.32 W cm-1 °C-1
热扩散率 0.23 cm2 s-1
热膨胀系数 7.75×10-6 °C-1

光学性能
折射率 (589 nm @ 293 K) 3,8
辐射复合系数 (@ 300 K) 10-10 cm3 s-1

 

注：从2023年8月1日起，出口该产品需要出口许可证；国内供应不受影响