PIN探测器用 InGaAs/InP 外延片
提供 PIN 近红外探测器用 InGaAs/InP 外延薄膜，具体的外延结构如下：
1. InGaAs/InP 外延结构
| 外延层材料 | 厚度 |
| InP | – |
| p++ InGaAs | ~70nm |
| InP | – |
| InGaAs | – |
| InP | – |
| n- InP | – |
| n++ InGaAs | – |
| InP衬底 | – |
2. InGaAs/InP 半导体材料制作PIN型探测器的优势
采用 InGaAs/InP 外延材料制备PIN型探测器主要由于以下材料优势：
1）InGaAs/InP 三五族半导体材料具有直接能带结构、高电子迁移率、带隙可调、吸收波长长（920nm~1700nm）等特性；
2）InGaAs/InP 具有高量子效率：InGaAs 吸收层的强电场可以使光生载流子迅速分离和漂移，减小光生载流子的复合概率；
3）通过改变I层的厚度，可以提高 PIN 光电二极管的吸收效率；
4）灵敏度高，功耗低。与光电导探测器相比，PIN 探测器暗电流低，可以探测微弱信号。此外，在 PIN 结中，由于I型层的面积较宽，入射光几乎可以被I型层完全吸收并转化为光生载流子，因而 PIN 结 InGaAs 探测器能够获得更大的探测灵敏度。
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