硅基GaN Micro LED外延片
蓝宝石、硅和碳化硅衬底是制造LED外延片的三种常用的衬底材料。与碳化硅和蓝宝石衬底相比，硅衬底有两大优势：首先，同碳化硅和蓝宝石相比，硅材料更便宜，而且大尺寸衬底容易制备，降低GaN外延成本；其次，硅上GaN LED外延材料非常适合剥离衬底薄膜转移技术路线，在开发高效、高可靠性的半导体LED芯片方面具有优势。可供2、4、6、8英寸硅基GaN Micro-LED外延片，具体参数请见下表。GaN Micro LED外延片在显示、可见光通信（VLC）和其他新颖应用方面具有独特优势。
1. GaN Micro-LED外延片规格参数
| 晶片尺寸 | 2、4、6、8英寸 | |
| 晶向 | C-axis(0001)+/-1° | |
| P-(AlIn)GaN | 120 – 170 nm, [Mg] > ** | |
| InGaN/GaN 多量子阱 | ** nm | |
| nGaN | ** um | |
| 缓冲层 | ** um | |
| 平均主波长 | 450 ~ 470 nm | |
| 弯曲度 | < ±50 um | |
| FWHM | < 20 nm | |
| 衬底 | Si(111) | |
| 衬底厚度 | 100 mm | 800 um |
| 150 mm | 1 mm | |
| 200 mm | 1.15 mm | |
2. 硅片外延Micro LED的优势
选择硅片用于外延microLED应用的主要由于其具有以下优势：
1）硅片尺寸大能提高产量且成本低；
2）由于颗粒在生长过程中嵌入在表面，破坏了材料的质量，因此颗粒越少，外延片的质量越好。硅衬底可以外延高质量和低颗粒水平的microLED；
3）硅外延GaN具有与成熟的硅基制造兼容的优点。硅基外延GaN技术用于制造生产LED非常成熟，适用于薄膜工艺和阵列的单片集成；
4）适当的应变工程技术可以用于硅基GaN LED外延片，以实现良好的均匀性和最小的翘曲；
5）硅片的低热阻可实现高效的散热，从而降低结温并实现高可靠性。该技术还能为microLED显示器提供高能效、高分辨率和高对比度。
此外，大量的硅基GaN microLED晶片的测试表明，其内部量子效率超过80%，波长均匀性良好，可以很好地支持microLED显示器制造的生产力提升。
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