硅基氮化镓复合衬底
可供2、4英寸硅基氮化镓复合衬底，具体的氮化镓/硅复合衬底规格参数请见下表：
1. 硅基氮化镓复合衬底规格
| 产品 | 氮化镓厚度 | 导电类型 | 掺杂 | 衬底 | 尺寸 | 表面处理 |
| 氮化镓/硅片 | 2um（可定制） | p型 | Mg | 硅（111） | 2、4英寸 | 单面抛光 |
| 氮化镓/硅片 | 2um（可定制） | n型 | Si | 硅（111） | 2、4英寸 | 单面抛光 |
| 氮化镓/硅片 | 2um（可定制） | n型 | 无掺 | 硅（111） | 2、4英寸 | 单面抛光 |
| 氮化镓/硅片 | 2um（可定制） | 半绝缘型 | – | 硅（111） | 2、4英寸 | 单面抛光 |
2. 如何提高硅外延氮化镓薄膜的质量？
硅片具有大尺寸、高热导率、成本低以及可与硅基微电子器件集成等优势，是外延氮化镓薄膜的理想衬底材料。但是，由于硅与氮化镓的晶格失配、热失配使得难以获得高质量的氮化镓薄膜。为了获得高质量的硅基氮化镓复合衬底片，目前可采取以下措施;
1) 生长缓冲层：生长缓冲层是硅基复合衬底的关键技术。由于氮化铝具有稳定的化学性能，热膨胀系数在硅和氮化镓之间，所以我们一般都生长氮化铝缓冲层以解决外延过程中的裂纹问题；
2) 衬底图形化：衬底图形化一方面可以释放出材料之间的应力，另一方面能提高氮化镓的横向生长，从而降低位错密度，获得高质量氮化镓薄膜；
3) 横向外延技术：采用横向外延技术在衬底上沉积一层本征氮化镓薄膜，然后生长一层掩膜，而后通过光刻和刻蚀在上方刻出窗口，最后再生长氮化镓薄膜。这种方式生长的氮化镓外延层具有较低位错密度。
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