供应常规与特殊晶向半导体单晶锗（Ge）片

        锗（Ge）由于其更高的空穴和电子迁移率、与硅的相似性、更小的带隙和增加的掺杂剂溶解度而成为微电子应用的衬底材料。与硅相比，锗在800-1550 nm波长范围内的高吸收系数，加上其高载流子迁移率，使该材料成为在互补金属氧化物半导体（CMOS）电路上集成光学检测器和调制器的可行候选者。此外，锗衬底可外延高质量GaAs薄膜，为III-V光学器件与硅基电子器件的集成铺平道路。可供具有常规与特殊晶向的单晶锗片。其中，具有特殊晶向的锗单晶片规格参数如下，仅供参考：

2. 锗片，晶向（310）

2. 锗（310）晶片的制备工艺流程

        Ge（310）晶片的制备方法如下：

        1）从一块100mm的PXS Ge[100]铸锭开始，在其上研磨一块32.5mm长的＜010＞±0.1º的扁锭；

        2）将铸锭插入切片机中，使扁平部在左侧（如图1a），将铸锭向上倾斜xxº，或使扁平件位于底部（如图1b），将铸锭向左倾斜xxº；

图1   锗锭插入切片机示意图                                 

         3） 切下的晶片（晶片将是椭圆形的，小直径上有平面）用单色X射线衍射仪测量晶片表面的方向。设备寻找标称θ角为xxºxx’（即xxº）的（620）平面。但是，根据特定X射线源的波长调整θ角。记录表面取向偏离（620），测量并记录晶片平面取向；

        4）在第一个切片之后，您需要调整切片器的角度，以更紧密地匹配（620）平面。记录你在垂直和水平方向上需要调整的幅度，切片。测量并记录其表面方向以及平面的方向；

        5）重复步骤4)，直到晶片表面取向xxº。将最终晶片以及表面和平面取向测量的记录。

注意：必须非常精确地在原始晶片上研磨（100）平面，并非常精确地相对于切片机刀片倾斜铸锭；

[310]与[100]相差18.43º，而[15,5,1]与[100]相距18.77º，仅相差0.34º。然而，[310]与[15,5,1]相差3.62º。因此，倾斜角度的微小差异会导致所得表面取向的巨大差异；

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