GaSb基InAs/GaSb II型超晶格（ T2SL）长波红外材料 *E
在解决长波红外光谱域的合适红外技术中，GaSb 衬底上的 InAs/GaSb II型超晶格 (T2SL) 是一种用于高性能冷却红外焦平面阵列 (FPA) 的有吸引力的光电探测器材料，因为它在可操作性和稳定性方面具有潜力。可供GaSb衬底上InAs/GaSb T2SL结构外延片用于长波长红外（LWIR）应用，具体规格参数请参考下表：
1. GaSb基InAs/GaSbT2SL长波红外外延结构参数
CSP22191 – T2SL – LWIR
| 序号 | 外延层 | 材料 | 厚度（ML） | 厚度（Å) | 类型 | 掺杂 | 掺杂浓度 | 重复 | x |
| 24 | 接触层 | GaSb | 0.2 | – | – | – | |||
| 23 | p+ | GaSb | 8 | – | – | – | – | – | |
| 22 | InSb | – | – | – | – | – | |||
| 21 | InAs | – | – | – | – | – | |||
| 20 | InSb | – | – | – | – | – | |||
| 19 | 势垒层 | GaSb | – | – | i | – | – | ||
| 18 | InSb | – | – | – | – | – | |||
| 17 | InAs | – | – | – | – | – | |||
| 16 | InSb | – | – | – | – | – | |||
| 15 | 吸收层 | GaSb | – | – | – | – | 5E+15 | – | |
| 14 | InSb | – | – | – | – | – | |||
| 13 | InAs | – | – | – | – | – | |||
| 12 | InSb | – | – | – | – | – | |||
| 11 | 势垒层 | GaSb | – | – | – | – | – | – | |
| 10 | AlSb | – | 24.38 | – | – | – | |||
| 9 | GaSb | – | – | – | – | – | |||
| 8 | InAs | – | – | – | – | – | |||
| 7 | n+接触层 | GaSb | – | – | – | – | – | – | |
| 6 | InSb | – | – | – | – | – | |||
| 5 | InAs | – | – | – | – | – | |||
| 4 | InSb | – | – | – | – | – | |||
| 3 | 蚀刻停止层 | InAs（x）Sb（1-x） | – | Si | – | – | |||
| 2 | 缓冲层 | GaSb | – | nid | |||||
| 1 | 衬底 | n-GaSb |
与其他材料（Hg1−xCdxTe、InSb、QWIP、QD、VxOy等）相比，InAs/GaSb作为典型的II型超晶格材料，具有许多优点，如带隙的精确调节、高工作温度、大的有效质量、抑制俄歇复合、宽带吸收、垂直角度入射光以及良好的材料生长均匀性。由于俄歇复合的抑制，对于相同的截止波长，InAs/Ga（As）Sb T2SL的载流子寿命预计比MCT的载流子寿命长。InAs/GaSb II型超晶格材料的探测波长只需调整InAs和GaSb层的层厚即可从近红外变为长波红外。特别是对于长波红外（LWIR）和甚长波红外（VLWIR）范围检测，其优势十分明显。
2. InAs/GaSb T2SL量子结构的性质
6.1Å族由GaSb、InAs和AlSb半导体组成，形成了一组彼此晶格紧密匹配的化合物（图1a）。通过使用InAs或GaSb作为衬底，许多创新的量子结构可以用于适合光电应用的红外器件的有源区，如激光二极管或光电探测器。这要归功于6.1 Å族的强大灵活性，在80K时，能量间隙范围从0.41 eV（InAs）到1.7 eV（AlSb），以及具有I型、II型或交错II型（III型）能带排列的异质结构（图1b）。
图1 （a）化合物半导体的能隙与晶格常数的关系。晶格常数在6.1Å左右的三种半导体InAs、GaSb和AlSb被称为“6.1Å族”，如图虚线红框；（b） InAs、GaSb和AlSb的能带排列。实心矩形表示禁带，并指定了每个二元异质结构之间的偏移类型
事实上，InAs/GaSb异质界面呈现特定的III型能带排列，其中InAs层的导带低于GaSb层的价带（图1b）。使用这种异质结构来构建超晶格，这种周期性结构的带隙由第一电子微带C1和第一重空穴态V1之间的能量差决定（图2），仅取决于对称（InAs和GaSb层的厚度相同）或不对称（两层中的一层比另一层厚）配置的层厚度。因此，超晶格结构可以在V1和C1微带之间吸收（图2）通过调整层厚度和周期来吸收大的红外辐射。
图2 在基本电子（C1）和重空穴（V1）微带之间发生吸收现象的InAs/GaSb 超晶格结构的示意图
LWIR探测器是最受欢迎的红外探测器类型之一，因为它们对热成像应用具有无与伦比的适用性。在民事用途方面，LWIR探测器可用于卫星地球观测应用，如环境建模、气象和监视。此外，LWIR波长范围的获取对于气体传感、医学成像和光谱学等科学和工业应用也很重要。
更多InAs/GaSb T2SL外延片信息或疑问，请邮件咨询：vp@honestgroup.cn
注：出口该产品需要出口许可证；国内供应不受影响