GaAs/AlAs异质外延材料

        砷化铝（AlAs）和砷化镓（GaAs）的合金可以制备高速电子和光电子器件。此外，GaAs/AlAs量子阱结构在III-V族外延片的制造中得到了广泛的应用。GaAs/AlAs短周期超晶格的吸收率大大提高，在可见光中扩展，使其成为光电子器件（如高发光二极管）的理想材料。可见，AlAs在固态器件的制备具有巨大潜力。可供GaAs/AlAs异质外延材料，用于光电子器件制备，具体外延结构可参考下表：

1. GaAs/AlAs异质外延结构

2. GaAs/AlAs异质外延膜结构的温度依赖性

        采用交流量热法测量了GaAs/AlAs材料系统热物理性质的温度依赖性。通过实验测试了GaAs/AlAs异质结在700Å/700Å温度下从190K到450K的热扩散。研究得到的结果是GaAs/AlAs异质结构的热扩散低于相应的体值。其异质外延生长薄膜的热物理性质与本体III-V族化合物相比几乎没有温度依赖性。其导热系数降低的主要原因是界面散射。

3. 关于GaAs、AIAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

        使用BCl3和Ar作为刻蚀气体，研究了GaAs、AlAs和DBR的反应离子刻蚀工艺。在实验过程中，射频功率和气体成分对蚀刻速率产生重要影响，而气体总量和压力对蚀刻速率的影响较小。在某些条件下，GaAs的刻蚀速率可超过400nm/min，AlAs的刻蚀速率可达到350nm/min，DBR的刻蚀速率可达到340nm/min。刻蚀后的晶片表面相对光滑，并能形成相对陡峭的侧壁，侧壁的垂直度可达85°。

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