低温铟镓砷（LT-InGaAs）外延片
供应气态分子束外延技术生长的 LT-InGaAs 外延片用于太赫兹光导天线，具体规格参数如下：
1. LT-InGaAs 参数表
| 直径 | Φ50.8mm±1mm |
| 厚度 | 0.5~3um |
| 可用表面积 | ≥90% |
| 抛光 | 单面抛光 |
| 结构 | LT-InGaAs on GaAs |
| 衬底 | GaAs |
| In组分 | 0.05~0.4 |
2. 关于 LT-InGaAs 外延生长工艺
研究人员优化了 InGaAs 的生长温度为 300℃，As 压力为 580 Torr。通过 Be 掺杂并采用InAlAs/InGaAs多量子阱结构，检测结果表明该 InGaAs 薄膜具有较高的电阻率及良好的晶体质量。这主要是由于InAlAs具有高浓度的深电子陷阱，InGaAs 层中的电子在通过隧道过程中被 InAlAs 的深电子陷阱捕获，从而使得 InGaAs 的暗电阻率大大地提高。
对于未掺杂的 InGaAs 外延层，采用多量子阱结构时，载流子浓度不会降低太多。这可能是由于未掺杂的 InGaAs 的电子浓度较高，而 InAlAs 的深电子陷阱密度有限，且捕获的电子已达饱和状态，使得载流子浓度不会下降太多。由此可见，使用多量子阱结构生长 LT-InGaAs 几乎不会影响其载流子迁移率，还能进一步缩短材料的响应时间并在增加材料的电阻率。
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