低温 GaAs（LT-GaAs）半导体薄膜材料
可供 LT GaAs 晶片用于制备太赫兹发射器、光电探测器、光混频器等器件，具体参数如下：
1. 低温 GaAs 规格表
| 尺寸 | Φ50.8mm±1mm |
| 厚度 | 1-2um 或 2-3um |
| 宏观缺陷密度 | ≤5cm-2 |
| 电阻率（300K） | >108 ohm-cm |
| 载流子 | <1ps |
| 位错密度 | <1*106cm-2 |
| 可用表面面积 | ≥80% |
| 抛光 | 单面抛光 |
| 衬底 | GaAs |
2. 关于 LT-GaAs 薄膜生长
LT-GaAs 通常采用 MBE（分子束外延）法在250-300℃下进行生长。研究表明，在 GaAs 衬底上先生长一层 AlAs 层，再生长 LT-GaAs，会得到具有更大晶格常数的 LT GaAs。而且，AlAs 插入层的生长可以显著提高低温 GaAs 中光电流的产生，允许更多的As掺入 LT-GaAs 薄膜中，从而防止电流扩散到 GaAs 衬底中。
3. LT-GaAs 薄膜特性
* 良好的载流子迁移率
* 高电阻率
* 亚皮秒载流子寿命
* 可防止氧化物形成
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