氮化镓外延专用大尺寸硅片

        氮化镓（GaN）作为第三代半导体的核心材料，凭借其宽禁带（3.4eV）、高击穿场强（3.3 MV/cm）及高频特性，在5G通信、新能源汽车、快充等领域展现出巨大潜力。大尺寸硅片凭借成熟的产业链、低成本和可扩展性，成为GaN外延的理想选择。我司可供大尺寸直拉（CZ）硅片用于GaN功率器件制备，具体规格参数以8英寸为例：

1. 大尺寸硅片规格参数表

CSP22439 – CZS

2. 硅基氮化镓外延中滑移线的产生与控制

        滑移线问题的形成根源可追溯至硅片加工过程中残留的局部损伤。在晶片加工阶段，采用”HF端面腐蚀工艺”和”胶带研磨工艺”去除倒角面SiO2时，易在边缘（edge）和缺口（notch）区域产生划痕、微裂纹等加工痕迹。特别是大尺寸晶片所需的二次倒角工艺，进一步加剧了notch部位的损伤深度，形成显著的局部应力集中点。这些结构缺陷在外延生长的高温环境下成为关键诱发因素——晶片边缘因加工损伤导致晶体结构弱化，当遭遇热-机械应力时，应力集中区域率先触发位错运动，通过晶格滑移的塑性变形最终表现为滑移线。

图1 硅基氮化镓外延滑移线示意图

        实验表明，原始工艺参数设置是损伤残留的主因，未优化的抛光工艺参数（包括载片台行程、行进速度、转速及进给量等）导致边缘区域抛光不彻底，加工痕迹残留程度与外延滑移线出现率呈显著正相关。为此，针对性改进方案聚焦于边缘抛光工艺优化：通过调整载片台上下行程与行进速度提升edge区域抛光均匀性，同时针对notch部位提高转速、进给量及横向移动幅度，强化材料去除效率。工艺改进后，晶圆边缘加工痕迹深度降低85%以上，外延滑移线完全消失，验证了加工残留损伤与滑移线形成的直接因果关系。

        通过系统性优化抛光工艺参数，消除边缘区域的微裂纹和结构缺陷，可有效阻断滑移触发机制，为提升晶圆良率提供可靠的技术路径。这一解决思路不仅证实了加工损伤控制的重要性，更建立了工艺参数-结构完整性-器件性能间的量化关联模型。

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