半绝缘碳化硅单晶片
半绝缘型碳化硅衬底具有高电阻率，半绝缘碳化硅衬底市场主要集中在氮化镓射频器件应用，碳化硅基氮化镓器件具有良好的高频段表现及高功率处理能力，使其在雷达和 5G 通信系统应用方面具有极大的优势。供应研究级与生产级 4H 半绝缘碳化硅单晶片，具体参数如下仅供参考：
1. 4H-SiC 半绝缘单晶衬底
| 产品 | 4H-SiC衬底 |
| 导电类型 | 半绝缘 |
| 直径 | 50.8mm |
| 厚度 | 350um |
| 级别 | 研究级、生产级 |
| 晶向 | （0001）±0.5° |
| 主定位边晶向 | （1120）±5° |
| 表面处理 | 双面抛光 |
| 表面粗糙度 | 硅面：<0.5nm 碳面：<1nm |
| MPD | ≤15/cm2 |
| TTV | 10um |
| Bow | <20 |
| Warp | <20 |
2. 半导体碳化硅衬底上外延氮化镓
在碳化硅晶片上生长氮化镓晶格失配较低，表明外延层与衬底间的晶格相互匹配。匹配越好，缺陷越少，设备性能和寿命就越好。碳化硅与氮化镓具体匹配参数如下表仅供参考：
| 衬底 | 晶格常数 aA | 晶格常数 cA | 晶格失配 | 热膨胀系数 10-6/K | 热失配 |
| 氮化镓 | 3.188 | 5.185 | 0% | 5.6 | 0% |
| 氮化铝 | 3.112 | 4.982 | 2.4% | 4.2 | 25% |
| 4H 碳化硅 | 3.082 | 10.061 | 3.3% | 3.8 | 32% |
| 6H 碳化硅 | 3.081 | 15.117 | 3.4% | 3.8 | 32% |
| 硅 | 5.430（√2） | – | 20.4% | 2.6 | 54% |
| 蓝宝石 | 4.758（√3） | 12.982 | 13.8% | 7.5 | -34% |
一般来说，衬底与外延层的晶格失配度小于 5% 则比较容易外延生长，失配度在 5%~25% 之间可以外延生长，大于 25% 则不能外延生长。气相外延一般要求衬底与外延材料间的失配度要小于 10%，液相外延则要求小于 1%，光电异质结要求小于 0.1% 。可见，氮化镓材料是容易外延生长在碳化硅衬底上的，且具有较高质量与较好的导热性能。
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