SiC 绝缘栅双极晶体管（IGBT）外延片
SiC 绝缘栅双极晶体管（IGBT）外延片 由于碳化硅（SiC）的优异性能，如宽带隙、大临界电场和高温耐受性，SiC基器件在高功率和高温应用中得到了广泛的研究。对于超高压应用，双极Si...
SiC厚膜外延
SiC厚膜外延 碳化硅（SiC）功率器件制造要求和耐压等级不断提高，使得SiC外延材料不断向低缺陷、厚外延方向发展。我司可供N型和P型碳化硅厚膜外延生长服务，薄膜厚度范围为30um~2...
GaN薄膜结构的水诱导表面氧化研究 *
GaN薄膜结构的水诱导表面氧化研究 * 1. 摘要 使用一种新方法彻底研究了氮化镓（GaN）和水（H2O）之间的相互作用，该方法涉及通过聚焦离子束铣削技术制造明确的纳米级GaN薄膜。电...
P型4H-SiC衬底基外延片
P型4H-SiC衬底基外延片 4H-SiC晶体的电子迁移率（室温下约950cm²/(V·s)）较空穴迁移率（约120cm²/(V·s)）具有显著优势。这一载流子传输特性差异使得N沟道绝...
He+ 离子辐照4H-SiC选定区域应变分布的无损评估 *
He+ 离子辐照4H-SiC选定区域应变分布的无损评估 * 1. 摘要 碳化硅（SiC）中的残余应变极大地影响了其物理和化学性能，从而影响了SiC基器件的性能。在此，使用电子背散射衍射...
宽带隙多量子阱InGaN光伏换能器用于高功率水下自由空间光功率传输 *
宽带隙多量子阱InGaN光伏换能器用于高功率水下自由空间光功率传输 * 1. 摘要 在这项研究中，研究了多量子阱（MQW）InGaN光伏器件在高功率水下自由空间光功率传输中的功效。用4...
石墨烯/SiC界面上环保量子自旋霍尔绝缘体铋的可逆切换 *
石墨烯/SiC界面上环保量子自旋霍尔绝缘体铋的可逆切换 * 1. 摘要 由于表现出由自旋轨道耦合驱动的稳健螺旋边缘态，并通过无耗散自旋输运为自旋电子学的应用提供了潜力，量子自旋霍尔绝缘...
3C-SiC 同质外延片
3C-SiC 同质外延片 晶圆级立方SiC（3C-SiC，β-SiC）是一种有前景的MOSFET器件材料，相较于4H-SiC，其界面态密度较低，沟道迁移率较高。6H和4H-SiC MO...
氧化镓（Ga2O3）日盲紫外探测器
氧化镓（Ga2O3）日盲紫外探测器 氧化镓（Ga2O3）是制造日盲紫外探测器最优选的材料之一。Ga2O3是一种III-VI宽带隙半导体材料，带隙Eg在4.7-4.9eV范围内，具有优异...
蓝宝石基氧化镓外延片
蓝宝石基氧化镓外延片 氧化镓（Ga2O3）因其超宽带隙、高临界击穿电场和高的巴利加品质因数而备受关注。作为热力学最稳定的Ga2O3同质异形体，β-Ga2O3在先进电子和电力应用方面显示...