氮化镓外延专用大尺寸硅片
氮化镓外延专用大尺寸硅片 氮化镓（GaN）作为第三代半导体的核心材料，凭借其宽禁带（3.4eV）、高击穿场强（3.3 MV/cm）及高频特性，在5G通信、新能源汽车、快充等领域展现出巨...
GaN晶体管外延片：打造高效紧凑的机器人驱动系统
GaN晶体管外延片：打造高效紧凑的机器人驱动系统 人形机器人作为未来智能服务、医疗护理和工业自动化的重要载体，其核心动力系统需具备高动态响应、高效能与紧凑化设计。传统硅基（Si）功率器...
铝酸镁钪（ScAlMgO4）基氮化镓（GaN）外延片
铝酸镁钪（ScAlMgO4）基氮化镓（GaN）外延片 近年来，铝酸镁钪（ScAlMgO4, SAM, SCAM）作为氮化物半导体的衬底材料引起了越来越多的兴趣。与在传统蓝宝石、硅、碳化...
铝酸镁钪（ScAlMgO4）衬底
铝酸镁钪（ScAlMgO4）衬底 在半导体制造领域，工程师们通常采用硅、蓝宝石等异质衬底外延技术来制备氮化镓（GaN）和氧化锌（ZnO）基器件，但实际生产中发现，异质材料间的晶格常数差...
GaN雪崩光电二极管（APD）外延 *S
GaN雪崩光电二极管（APD）外延 *S 在光通信、深紫外探测和量子传感等前沿领域，雪崩光电二极管（APD）的性能直接决定了系统的探测灵敏度与响应速度。氮化镓（GaN）材料凭借其3.4...
GaN共振隧穿二极管（RTD）外延 *S
GaN共振隧穿二极管（RTD）外延 *S 先前大量的研究集中在AlAs/InGaAs/AlAs量子阱结构共振隧穿二极管（RTD）上。然而，当涉及到高频和高功率时，设计一个稳定可靠的太赫...
基于AlGaAs/GaAs量子阱结构的太赫兹光电单片集成研究 *
基于AlGaAs/GaAs量子阱结构的太赫兹光电单片集成研究 * 1. 概述 本工作介绍了一种单片集成太赫兹光电子（MITO）平台，该平台使用GaAs/AlGaAs量子阱（QW）结构...
4H-SiC 低增益雪崩探测器外延 *S
4H-SiC 低增益雪崩探测器外延 *S 近年来，硅基快速定时探测器在高能物理、核物理、空间探索等领域得到了广泛的应用。然而硅探测器在辐照环境下工作时往往需要复杂的低温系统，且其探测性...
飞秒激光写入SiC固体浸没透镜内单量子发射器研究 *
飞秒激光写入SiC固体浸没透镜内单量子发射器研究 * 1. 摘要 碳化硅（SiC）中的光学活性硅空位（VSi）中心充当量子比特，通过光子连接自旋。这种能力允许在自旋态内对光子信息进行编...
混合PIN肖特基（MPS）二极管外延 *S
混合PIN肖特基（MPS）二极管外延 *S 混合PiN肖特基（MPS）二极管通过将p-i-n二极管的浪涌电流鲁棒性和低反向泄漏与肖特基结构的低正向电压相结合，在单个器件中结合了肖特基和...