808nm GaAs基激光二极管外延片
厦门中芯晶研可提供GaAs外延片用于制备808nm激光二极管。根据有源区的材料，该外延结构可分为含Al和不含Al量子阱激光结构，我们列出了以下外延结构供您参考。我们亦可提供定制外延服务以满足您的应用需求。
1. 808nm激光外延结构
No. 1 含Al量子阱激光器结构
| 外延层材料 | 厚度 |
| GaAs | – |
| AlGaAs | – |
| AlGaInAs QW | – |
| AlGaAs | – |
| GaAs衬底 | 350um |
No. 2 无Al量子阱激光器结构
| 外延层材料 | 厚度 |
| GaAsP | |
| AlGaInP | – |
| GaInAsP QW | – |
| AlGaInP | – |
| GaAs | – |
| GaAs衬底 | 350um |
2. 含Al有源区与无Al有源区外延结构的区别
据有关文献报道，有源区含Al材料的外延片具有较高的导电率和导热率，且通过成分梯度和掺杂控制很容易实现低串联电阻和热阻。因此含Al量子阱激光二极管晶片是实现808nm高电光转换效率的理想材料。然而，含Al量子阱外延片容易氧化产生高密度氧化物，形成深能级缺陷以及暗线缺陷，进而导致器件性能下降，影响激光器的可靠性。
无Al量子阱激光材料可实现650nm~1060nm激光波长，是实现高功率半导体激光器可靠性问题的途径之一。无Al量子阱外延材料具有更低的电阻率和更高的热导率，能够抑制暗线缺陷的扩展，材料内部的退化速率慢。因而，基于无Al量子阱外延材料的器件表面具有低复合率、低升温、腔体表面退化速率慢等优点。
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