650nm激光外延片
AlGaInP/GaInP 材料体系发光范围可覆盖红、橙、黄、黄绿波段，是红光发光器件的主流材料。厦门中芯晶研能够生长 AlGaInP/InGaP 激光外延片用于制备 650nm 红光激光器，具体结构如下：
1. 650nm 红光 LD 外延结构
| 外延层材料 | 厚度 |
| p+ GaAs | – |
| p- AlGaInP | – |
| 无掺AlGaInP | – |
| 无掺GaInP量子阱 | – |
| 无掺AlGaInP | – |
| n- AlGaInP | – |
| n GaAs衬底 | 350~625μm |
2. 激光外延材料体系
| 材料体系（有源区/衬底） | 典型波长 | 典型应用 |
| InGaN/GaN, SiC | 380nm, 405nm, 450nm, 470nm | 数据存储 |
| AlGaInP/GaAs | 635nm, 650nm, 670nm | 激光指示、DVD播放器 |
| AlGaAs/GaAs | 720-850nm | CD播放器、激光打印机、泵浦固态源激光器 |
| InGaAs/GaAs | 900-1100nm | 泵浦EDFA和其他光纤放大器；高功率VCSEL |
| InGaAsP/InP | 1.2-2.0um | 光纤通信、传感、光谱学 |
| AlGaAsSb/GaSb | 1.8-3.4um | 防御、传感、光谱学 |
3. 650nm 激光应用
基于 AlGaInP/GaInP 材料体系的 650nm 激光器具有体积小、功耗小、高效率及可靠性等优点，广泛应用于激光指示，DVD 刻录视盘，条码扫描，工业测量，塑料光纤传输及针灸、镇刺医疗等领域
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