1550nm 激光外延片
InP 衬底上生长 InGaAsP、AlGaInAs 等材料作为外延片的有源区可以覆盖光纤通信的所有波长。采用 AlGaInAs 材料作为量子阱能够实现大功率与高带宽的输出。厦门中芯晶研提供 1550nm AlGaInAs/InP 激光外延片，具体外延结构如下：
1. 1550nm 激光外延片
| 外延层材料 | 厚度 |
| InP | – |
| GaInAs | – |
| GaInAsP | – |
| InP | – |
| AlGaInAs MQW, PL 1500~1560nm | – |
| InP 缓冲层 | – |
| InP衬底 | 350um |
2. AlGaInAs/InP 材料体系的开发与应用
由于 AlGaInAs/InP 量子阱的导带偏移较大，因此 AlGaInAs 材料在导带可以形成较深的量子阱，能够限制有效质量较小的电子。基于 AlGaInAs/InP 半导体材料的激光器在高温工作条件下具有明显的优势，可以实现无温控制冷工作。良好的材料特性、制作工艺使得 1500nm 激光二极管外延片广泛应用于光纤通信、激光传感等工业领域以及智能手机、AR/VR 等消费电子领域。
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