1060nm 激光外延片
中芯晶研可为您提供GaAs或InP基激光外延片。其中，在半导体激光器领域，InGaAs/GaAs量子阱材料体系扩展了GaAs的发光波长从0.85um至1.1um，广泛应用于各类光电器件与工业生产中。具体以1060nm激光外延结构作为参考：
1. 1060nm InGaAs/GaAs量子阱激光器外延结构
| 外延层材料 | 厚度 |
| P+ GaAs | – |
| P- GaAs | – |
| AlGaAs | – |
| GaInAs QW | – |
| AlGaAs | – |
| N- AlGaAs | – |
| N GaAs衬底 | 350~450um |
2. InGaAs量子阱的厚度与波长之间的关系
据相关文献研究报道，量子阱的厚度对激射波长有很大的影响。当量子阱组分固定时，激光射长会随着量子阱的厚度增加而逐渐增加，如图1显示（InGaAs量子阱中波长、阱宽和In组分的关系）。为了器件可以达到1060nm的激光波长，In的组分需要在0.24~0.35之间，这时InGaAs量子阱的宽度需要在4nm~12nm范围内。
可见半导体激光器的量子阱结构具有很大的灵活性，为外延生长参数的控制提供了较大容差。
图1 InGaAs量子阱中波长、阱宽和In组分的关系
InGaAs/GaAs材料体系不仅提高了激光器的性能，如更低的阈值电流密度、更高的增益系数、更低的温度敏感性等，还填补了AlGaAs/GaAs和InGaAsP/InP材料波长的空白，在通信、医学等领域具有广泛的应用前景。
更多产品信息请邮件咨询：vp@honestgroup.cn